Triéthylgallium
Le triéthylgallium, ou TEGa, est un composé chimique de formule (CH3CH2)3Ga, souvent écrite Ga(C2H5)3. C'est un composé organométallique de gallium utilisé par l'industrie des semiconducteurs à travers les techniques de MOCVD en remplacement du triméthylgallium Ga(CH3)3 car il laisse moins d'impuretés carbonées dans les couches épitaxiées[3]. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore visqueux et pyrophorique[4] à l'odeur douceâtre qui se décompose au contact de l'eau. Ses molécules existent sous forme de monomères en phase gazeuse et en solution dans le benzène et l'éther de pétrole.
| Triéthylgallium | |||
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| Structure du triéthylgallium | |||
| Identification | |||
|---|---|---|---|
| Nom UICPA | Triéthylgallane | ||
| No CAS | |||
| No ECHA | 100.012.939 | ||
| No CE | 214-232-7 | ||
| PubChem | 66198 | ||
| SMILES | |||
| InChI | |||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | C6H15Ga |
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| Masse molaire[1] | 156,906 ± 0,007 g/mol C 45,93 %, H 9,64 %, Ga 44,44 %, |
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| Propriétés physiques | |||
| T° fusion | −82 °C[2] | ||
| T° ébullition | 109 °C[2] à 40 kPa | ||
| Masse volumique | 1,067 g·cm-3[2] à 25 °C | ||
| Pression de vapeur saturante | 2,1 kPa[2] à 43 °C | ||
| Précautions | |||
| SGH[2] | |||
  Danger |
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| Transport[2] | |||
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
Comme le triméthylgallium, il peut être obtenu à partir d'organomercuriels tels que le diéthylmercure Hg(CH2CH3)2.
Il peut également être préparé à partir du trichlorure de gallium GaCl3 par réaction avec du triéthylaluminium Al2(C2H5)6 et du chlorure de potassium KCl.
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- Fiche Sigma-Aldrich du composé Triethylgallium, consultée le 24 novembre 2018.
- (en) A. Saxler, D. Walker, P. Kung, X. Zhang et M. Razeghi, « Comparison of trimethylgallium and triethylgallium for the growth of GaN », Applied Physics Letters, vol. 71, no 22,‎ , p. 3272-3274 (DOI 10.1063/1.120310, Bibcode 1997ApPhL..71.3272S, lire en ligne)
- (en) Deodatta V. Shenai-Khatkhate, Randall J. Goyette, Ronald L. DiCarlo Jr. et Gregory Dripps, « Environment, health and safety issues for sources used in MOVPE growth of compound semiconductors », Journal of Crystal Growth, vol. 272, nos 1-4,‎ , p. 816-821 (DOI 10.1016/j.jcrysgro.2004.09.007, Bibcode 2004JCrGr.272..816S, lire en ligne)