Arséniure de bore

Lui-même semi-conducteur de type III-V, l'arséniure de bore peut être allié à de l'arséniure de gallium GaAs pour produire des semi-conducteurs ternaires et quaternaires[6].

La conductivité thermique des semi-conducteurs et des isolants non magnétiques est contrôlée par la dispersion des phonons (en), et pour l'essentiel par les interactions à trois phonons[7]. Dans les années 1970 on a pensé que seules les substances constituées d'éléments légers fortement liés pourraient avoir une conductivité thermique très élevée[8]. En 2013 des calculs théoriques ont montré qu'un composé associant un élément léger et un élément lourd, comme l'arséniure de bore, pouvait avoir, à température ordinaire ou élevée, une conductivité thermique de l'ordre de 2 000 W m⁻¹ K⁻¹ (donc proche de celles du diamant et du graphite)[9] - [10], estimation ramenée ensuite à 1 400 W m⁻¹ K⁻¹ en tenant compte des interactions à quatre phonons[11].

La synthèse de cristaux suffisamment gros et pauvres en défauts d'arséniure de bore suffisamment pur est difficile, aussi les premières mesures de conductivité thermique n'ont-elles donné que des valeurs de l'ordre de 200[12] à 350[13] W m⁻¹ K⁻¹. En 2018 on a obtenu à température ordinaire 800 et 900 W m⁻¹ K⁻¹ pour deux cristaux entiers, et plus de 1 000 W m⁻¹ K⁻¹ pour quelques zones particulièrement pauvres en défauts cristallins[14].