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Tellurure de gallium(II)

Le tellurure de gallium(II) est un composé chimique de formule GaTe. C'est un semiconducteur à gap direct[4] avec une bande interdite de 1,65 eV de large[5] - [6]. Il se présente sous la forme de flocons noirs, mous, aux reflets gras et brillants, s'écrasant facilement.

Tellurure de gallium(II)
Image illustrative de l’article Tellurure de gallium(II)
__ Ga __ Te
Maille cristalline du tellurure de gallium(II)
Identification
Nom UICPA tellanylidènegallium
Nom systématique tellurure de gallium(II)
No CAS 12024-14-5
No ECHA 100.031.524
No CE 234-690-1
PubChem 14496722
SMILES
InChI
Apparence solide inodore[1]
Propriétés chimiques
Formule GaTe
Masse molaire[2] 197,32 ± 0,03 g/mol
Ga 35,34 %, Te 64,67 %,
Propriétés physiques
T° fusion 824 °C[3]
Masse volumique 5,751 g/cm3[3]
Précautions
SGH[1]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotique
Attention
H302, H315, H319, H335, P280, P312, P301+P330+P331, P302+P352, P304+P340, P332+P313 et P337+P313
NFPA 704[1]

Symbole NFPA 704.


Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

On le connaît sous quatre structures cristallines, les deux polymorphes principaux étant l'α-GaTe, cristallisé dans le système monoclinique selon le groupe d'espace C2/m (no 12), et le β-GaTe, cristallisé dans le système hexagonal selon le groupe d'espace P63/mmc (no 194), comme le séléniure de gallium(II) GaSe. Dans la forme α, chaque atome de gallium est lié à un autre atome de gallium et à trois atomes de tellure, ce qui donne une géométrie tétraédrique. Chaque atome de tellure est, quant à lui, lié à trois atomes de gallium dans une géométrie pyramidale trigonale, ce qui donne une structure feuilletée. La forme β est métastable et donne la forme α à haute température[7]. Les autres polymorphes de GaTe sont monocliniques[3] - [8] - [9].

Le tellurure de gallium(II) peut être obtenu par réaction directe de gallium métallique avec du tellure élémentaire[3] :

Ga + Te ⟶ GaTe.

Il est également possible de le faire croître par MOCVD[10].

Notes et références

  1. « Fiche du composé Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le ).
  2. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. (de) Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, 3e éd. révisée, vol. 1, Ferdinand Enke, Stuttgart, 1975, p. 861. (ISBN 3-432-02328-6)
  4. (en) Jose Javier Fonseca Vega, « Bandgap Engineering of Gallium Telluride » [PDF], sur https://escholarship.org, UC Berkeley Electronic Theses and Dissertations, (Bibcode 2017PhDT.......106F, consulté le ), p. 1.
  5. (en) Jose J. Fonseca, Sefaattin Tongay, Mehmet Topsakal, Annabel R. Chew, Alan J. Lin, Changhyun Ko, Alexander V. Luce, Alberto Salleo, Junqiao Wu et Oscar D. Dubon, « Bandgap Restructuring of the Layered Semiconductor Gallium Telluride in Air », Advanced Materials, vol. 28, no 30,‎ , p. 6465-6470 (PMID 27171481, DOI 10.1002/adma.201601151, Bibcode 2016AdM....28.6465F, lire en ligne).
  6. (en) A. Aydinli, N. M. Gasanly, A. Uka et H. Efeoglu, « Anharmonicity in GaTe layered crystals », Crystal Research & Technology, vol. 37, no 12,‎ , p. 1303-1309 (DOI 10.1002/crat.200290006, lire en ligne).
  7. (en) Edward D. Palik, Handbook of Optical Constants of Solids, Academic Press, 1998, p. 489. (ISBN 0-12-544423-0)
  8. (en) V. Grasso, Electronic Structure and Electronic Transitions in Layered Materials, Springer, 1986, p. 232. (ISBN 90-277-2102-5)
  9. (en) N. N. Kolesnikov, E. B. Borisenko, D. N. Borisenko et A. V. Timonina, « Structure and microstructure of GaTe crystals grown by High-Pressure vertical zone melting », Journal of Crystal Growth, vol. 365,‎ , p. 59-63 (DOI 10.1016/j.jcrysgro.2012.11.038, Bibcode 2013JCrGr.365...59K, lire en ligne).
  10. (en) Edward G. Gillan et Andrew R. Barron, « Chemical Vapor Deposition of Hexagonal Gallium Selenide and Telluride Films from Cubane Precursors:  Understanding the Envelope of Molecular Control », Chemistry of Materials, vol. 9, no 12,‎ , p. 3037-3048 (DOI 10.1021/cm9703886, lire en ligne).
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