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Tellurure de bismuth(III)

Le tellurure de bismuth(III), ou plus simplement tellurure de bismuth, est un composĂ© chimique de formule Bi2Te3, existant Ă©galement sous forme d'anions Bi4Te6− dans des alliages tels que le CsBi4Te6[3] - [4] - [5].

Tellurure de bismuth(III)
Image illustrative de l’article Tellurure de bismuth(III)

Structure cristalline du tellurure de bismuth
(les atomes de bismuth sont en violet)
Identification
No CAS 1304-82-1
No ECHA 100.013.760
No CE 215-135-2
PubChem 24884204 (Bi4Te6)
SMILES
InChI
Apparence poudre grise
Propriétés chimiques
Formule Bi2Te3 [IsomĂšres]
Masse molaire[1] 800,76 ± 0,09 g/mol
Bi 52,2 %, Te 47,81 %,
Propriétés physiques
T° fusion 573 °C
Masse volumique 7,642 g·cm-3
Précautions
SGH[2]
SGH07 : Toxique, irritant, sensibilisant, narcotique
Attention
H302, H312, H315, H319, H332, H335, P261, P280 et P305+P351+P338

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Il s'agit d'une poudre grise cristallisée semiconductrice qui présente un fort effet de refroidissement thermoélectrique (effet Peltier).

Les cristaux sont aisĂ©ment clivables le long de l'axe trigonal car les atomes de tellure ne sont maintenus ensemble que par des liaisons de van der Waals, de sorte que les applications Ă  base de tellurure de bismuth nĂ©cessitent l'emploi de matĂ©riaux multicristallins. De plus, le coefficient Seebeck du Bi2Te3 devient nĂ©gligeable Ă  tempĂ©rature ambiante, de sorte que les matĂ©riaux utilisĂ©s pour la production d'Ă©lectricitĂ© Ă  tempĂ©rature ambiante doivent ĂȘtre des alliages de bismuth, d'antimoine, de tellure et de sĂ©lĂ©nium.

Articles connexes

Notes et références

  1. Masse molaire calculĂ©e d’aprĂšs « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. SIGMA-ALDRICH
  3. (en) Duck-Young Chung, Tim Hogan, Paul Brazis, Melissa Rocci-Lane, Carl Kannewurf, Marina Bastea, Ctirad Uher et Mercouri G. Kanatzidis, « CsBi4Te6: A High-Performance Thermoelectric Material for Low-Temperature Applications », Science, vol. 287, no 5455,‎ , p. 1024-1027 (ISSN 1095-9203, lire en ligne) DOI 10.1126/science.287.5455.1024
  4. (en) P. Larson, S. D. Mahanti, D.-Y. Chung et M. G. Kanatzidis, « Electronic structure of CsBi4Te6: A high-performance thermoelectric at low temperatures », Physical Review B, vol. 65, no 4,‎ , p. 045205-045209 (lire en ligne) DOI 10.1103/PhysRevB.65.045205
  5. (en) W. Luo, J. Souza de Almeida, J.M. Osorio-Guillen et R. Ahuja, « Electronic structure of a thermoelectric material: CsBi4Te6 », Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 69, no 9,‎ , p. 2274-2276 (lire en ligne) DOI 10.1016/j.jpcs.2008.04.010
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