Tellurure de bismuth(III)
Le tellurure de bismuth(III), ou plus simplement tellurure de bismuth, est un composĂ© chimique de formule Bi2Te3, existant Ă©galement sous forme d'anions Bi4Te6â dans des alliages tels que le CsBi4Te6[3] - [4] - [5].
Tellurure de bismuth(III) | |
Structure cristalline du tellurure de bismuth (les atomes de bismuth sont en violet) |
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Identification | |
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No CAS | |
No ECHA | 100.013.760 |
No CE | 215-135-2 |
PubChem | 24884204 (Bi4Te6) |
SMILES | |
InChI | |
Apparence | poudre grise |
Propriétés chimiques | |
Formule | Bi2Te3 [IsomĂšres] |
Masse molaire[1] | 800,76 ± 0,09 g/mol Bi 52,2 %, Te 47,81 %, |
Propriétés physiques | |
T° fusion | 573 °C |
Masse volumique | 7,642 g·cm-3 |
Précautions | |
SGH[2] | |
Attention |
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Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
Il s'agit d'une poudre grise cristallisée semiconductrice qui présente un fort effet de refroidissement thermoélectrique (effet Peltier).
Les cristaux sont aisĂ©ment clivables le long de l'axe trigonal car les atomes de tellure ne sont maintenus ensemble que par des liaisons de van der Waals, de sorte que les applications Ă base de tellurure de bismuth nĂ©cessitent l'emploi de matĂ©riaux multicristallins. De plus, le coefficient Seebeck du Bi2Te3 devient nĂ©gligeable Ă tempĂ©rature ambiante, de sorte que les matĂ©riaux utilisĂ©s pour la production d'Ă©lectricitĂ© Ă tempĂ©rature ambiante doivent ĂȘtre des alliages de bismuth, d'antimoine, de tellure et de sĂ©lĂ©nium.
Articles connexes
Notes et références
- Masse molaire calculĂ©e dâaprĂšs « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- SIGMA-ALDRICH
- (en) Duck-Young Chung, Tim Hogan, Paul Brazis, Melissa Rocci-Lane, Carl Kannewurf, Marina Bastea, Ctirad Uher et Mercouri G. Kanatzidis, « CsBi4Te6: A High-Performance Thermoelectric Material for Low-Temperature Applications », Science, vol. 287, no 5455,â , p. 1024-1027 (ISSN 1095-9203, lire en ligne) DOI 10.1126/science.287.5455.1024
- (en) P. Larson, S. D. Mahanti, D.-Y. Chung et M. G. Kanatzidis, « Electronic structure of CsBi4Te6: A high-performance thermoelectric at low temperatures », Physical Review B, vol. 65, no 4,â , p. 045205-045209 (lire en ligne) DOI 10.1103/PhysRevB.65.045205
- (en) W. Luo, J. Souza de Almeida, J.M. Osorio-Guillen et R. Ahuja, « Electronic structure of a thermoelectric material: CsBi4Te6 », Journal of Physics and Chemistry of Solids, vol. 69, no 9,â , p. 2274-2276 (lire en ligne) DOI 10.1016/j.jpcs.2008.04.010