Sulfure de gallium(II)
Le sulfure de gallium(II), GaS, est un composé chimique du gallium et du soufre. La forme normale du sulfure de gallium(II) préparé à partir des éléments simples a une structure en couche hexagonale contenant des unités Ga24+ qui ont une distance Ga-Ga de 248 pm[2]. Cette structure en couche est similaire à celle de GaTe, GaSe et InSe[2]. Une forme métastable inhabituelle, avec une structure wurtzite déformée produite par MOCVD a été signalée. Les précurseurs organométalliques étaient les di-tert-butyl gallium dithiocarbamates, par exemple GatBu2(S2CNMe2), le dépôt étant effectué sur du GaAs. La structure du GaS produit de cette façon est probablement Ga2+ S2−[3].
Sulfure de gallium(II) | |
Modèle boules et bâtons du sulfure de gallium(II) | |
Identification | |
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Synonymes |
Sulfure de gallium |
No CAS | |
No ECHA | 100.031.522 |
PubChem | 6370242 |
SMILES | |
InChI | |
Apparence | Cristaux jaunes |
Propriétés chimiques | |
Formule | GaS |
Masse molaire[1] | 101,788 ± 0,006 g/mol Ga 68,5 %, S 31,5 %, |
Susceptibilité magnétique | −23,0 × 10−6 cm3/mol |
Propriétés physiques | |
T° fusion | 965 °C |
Masse volumique | 3,86 g cm−3 |
Cristallographie | |
Système cristallin | hexagonal |
Symbole de Pearson | |
Classe cristalline ou groupe d’espace | P63/mmc, No. 194 |
Composés apparentés | |
Autres composés | |
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
Les mono-couches de sulfure de gallium sont des semi-conducteurs bidimensionnels dynamiquement stables, dans lesquels la bande de valence a une forme de chapeau mexicain inversé, conduisant à une transition de Lifshitz lorsque le dopage en trous est accru[4].
Notes et références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Gallium(II) sulfide » (voir la liste des auteurs).
- WebElements
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) Norman N. Greenwood et Alan Earnshaw, Chemistry of the Elements, Butterworth-Heinemann, (ISBN 0080379419)
- MOCVD Growth of Gallium Sulfide Using Di-tert-butyl Gallium Dithiocarbamate Precursors: Formation of a Metastable Phase of GaS A. Keys, S G. Bott, A. R. Barron Chem. Mater., 11 (12), 3578 -3587, 1999. DOI 10.1021/cm9903632
- (en) V. Zolyomi, N. D. Drummond and V. I. Fal'ko, « Band structure and optical transitions in atomic layers of hexagonal gallium chalcogenides », Phys. Rev. B, vol. 87,‎ , p. 195403 (DOI 10.1103/PhysRevB.87.195403, Bibcode 2013PhRvB..87s5403Z, arXiv 1302.6067)