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Arséniure d'aluminium

L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs[3].

Arséniure d'aluminium

__ Al __ As
Identification
No CAS 22831-42-1
No ECHA 100.041.126
PubChem 89859
Apparence solide cristallisé orange
Propriétés chimiques
Formule AlAs [Isomères]
Masse molaire[1] 101,903 14 ± 2,0E−5 g/mol
Al 26,48 %, As 73,52 %,
Propriétés physiques
T° fusion 1 740 °C
Masse volumique 3,72 g·cm-3
Propriétés électroniques
Bande interdite 2,12 eV
Mobilité électronique 200 cm2·/(V*s) (300 K)
Précautions
SGH
SGH06 : ToxiqueSGH09 : Danger pour le milieu aquatique
Danger
H301, H331, H410, P261, P273, P301, P310, P311 et P501
Directive 67/548/EEC[2]
Toxique
T
Dangereux pour l’environnement
N



Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Propriété

Il possède les propriétés suivantes[4] :

Synthèse

La préparation de l'arséniure d'aluminium a fait l'objet de peu de travaux, principalement en raison des difficultés pratiques que cela implique. La préparation à partir de la masse fondue est difficile en raison du point de fusion élevé du composé (environ 1 700 °C) et de l'extrême réactivité de l'aluminium à cette température. Quelques chercheurs ont préparé de petits cristaux à partir de la masse fondue, et des lingots polycristallins ont également été produits. Le meilleur de ce matériau a une densité de porteurs d'impuretés de l'ordre de 1019/cm3 et est de type p[6].

Notes et références

  1. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  2. SIGMA-ALDRICH
  3. Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
  4. Berger, L. I., Semiconductor Materials, CRC Press, (ISBN 978-0-8493-8912-2, lire en ligne Inscription nécessaire), 125
  5. Dierks, S., « Aluminum Arsenide - Material Safety Data »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?), The Fitzgerald Group, MIT, (consulté le ).
  6. Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, p. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).
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