Arséniure d'aluminium
L’arséniure d'aluminium (AlAs) est un composé chimique d'aluminium et d'arsenic. C'est un matériau semi-conducteur avec presque la même constante de réseau que GaAs et AlGaAs et une bande interdite plus large que GaAs[3].
| Arséniure d'aluminium | |
 __ Al __ As  |
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| Identification | |
|---|---|
| No CAS | |
| No ECHA | 100.041.126 |
| PubChem | 89859 |
| Apparence | solide cristallisé orange |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | AlAs [Isomères] |
| Masse molaire[1] | 101,903 14 ± 2,0E−5 g/mol Al 26,48 %, As 73,52 %, |
| Propriétés physiques | |
| T° fusion | 1 740 °C |
| Masse volumique | 3,72 g·cm-3 |
| Propriétés électroniques | |
| Bande interdite | 2,12 eV |
| Mobilité électronique | 200 cm2·/(V*s) (300 K) |
| Précautions | |
| SGH | |
  Danger |
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| Directive 67/548/EEC[2] | |
 T  N |
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
Propriété
Il possède les propriétés suivantes[4] :
- Coefficient de dilatation thermique : 5 µm/(°C*m)
- Température Debye : 417 K
- Microdureté : 5,0 GPa (charge de 50 g)
- Nombre d'atomes dans 1 cm3 : (4.42-0.17x)·1022[5]
- Module d'élasticité isostatique : 7.55+0.26x)·1011 dyn cm−2[5]
- Dureté sur l'échelle de Mohs : ~5[5]
- Insolubilité dans l'eau[5]
Synthèse
La préparation de l'arséniure d'aluminium a fait l'objet de peu de travaux, principalement en raison des difficultés pratiques que cela implique. La préparation à partir de la masse fondue est difficile en raison du point de fusion élevé du composé (environ 1 700 °C) et de l'extrême réactivité de l'aluminium à cette température. Quelques chercheurs ont préparé de petits cristaux à partir de la masse fondue, et des lingots polycristallins ont également été produits. Le meilleur de ce matériau a une densité de porteurs d'impuretés de l'ordre de 1019/cm3 et est de type p[6].
Notes et références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Aluminium arsenide » (voir la liste des auteurs).
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- SIGMA-ALDRICH
- Guo, L. "Structural, Energetic, and Electronic Properties of Hydrogenated Aluminum Arsenide Clusters". Journal of Nanoparticle Research. Vol. 13 Issue 5 p. 2029-2039. 2011.
- Berger, L. I., Semiconductor Materials, CRC Press, (ISBN 978-0-8493-8912-2, lire en ligne
), 125 - Dierks, S., « Aluminum Arsenide - Material Safety Data »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?), The Fitzgerald Group, MIT, (consulté le ).
- Willardson, R., and Goering, H. (eds.), Compound Semiconductors, p. 1, 184 (Reinhold Pub. Corp., New York, 1962).