Antimoniure de gallium
L’antimoniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaSb. Il s'agit d'un semiconducteur III-V diamagnétique[6] dont le paramètre de maille vaut 609,593 pm[2] et la largeur de bande interdite environ 0,726 eV, ce qui en fait un matériau privilégié pour la réalisation de photodétecteurs infrarouges, de diodes électroluminescentes infrarouges, voire de cellules thermophotovoltaïques.
| Antimoniure de gallium | |||
![]() __ Ga __ Sb Maille cristalline de l'antimoniure de gallium |
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| Identification | |||
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| No CAS | |||
| No ECHA | 100.031.859 | ||
| No CE | 235-058-8 | ||
| PubChem | 6335277 | ||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | GaSb [Isomères] |
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| Masse molaire[1] | 191,483 ± 0,002 g/mol Ga 36,41 %, Sb 63,59 %, |
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| Propriétés physiques | |||
| T° fusion | 712 °C | ||
| Masse volumique | 5,61 g·cm-3[2] | ||
| Conductivité thermique | 0,32 W·cm-1·K-1 | ||
| Propriétés électroniques | |||
| Bande interdite | 0,726 eV Ã 300 K[3] | ||
| Mobilité électronique | 3 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
| Mobilité des trous | 1 000 cm2·V-1·s-1[4] | ||
| Propriétés optiques | |||
| Indice de réfraction | 3,8 | ||
| Précautions | |||
| SGH[5] | |||
![]() ![]() Attention |
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| Transport[5] | |||
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- (en) Ioffe Physico-Technical Institute – New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties « GaSb – Gallium Antimonide. »
- (de) Georg Brauer, « Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie Band II » p. 862, Ferdinand Enke Verlag, Stuttgart, Allemagne, 1978. (ISBN 3-432-87813-3)
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