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Tétrakis(trichlorosilyl)silane

Le tétrakis(trichlorosilyl)silane, couramment appelé dodécachloronéopentasilane dans l'industrie, est un composé chimique de formule Si(SiCl3)4. Il se présente sous la forme d'un solide blanc qui réagit violemment au contact de l'eau et se décompose au-delà de 300 °C. Il est utilisé notamment dans l'industrie des semiconducteurs[3] comme précurseur du néopentasilane Si(SiH3)4[4], utilisé pour obtenir des couches de silicium pour cellules photovoltaïques[5], et fait l'objet d'études pour la préparation de polymères à base de silicium ou de matériaux composites silicium-organique[6].

Tétrakis(trichlorosilyl)silane
Identification
Nom UICPA tétrakis(trichlorosilyl)silane
Nom systématique 1,1,1,3,3,3-Hexachloro-2,2-bis(trichlorosilyl)trisilane
Synonymes

dodécachloronéopentasilane
No CAS 50350-62-4
PubChem 71366657
SMILES
InChI
Apparence solide blanc à l'odeur âcre[1]
Propriétés chimiques
Formule Cl12Si5Si(SiCl3)4
Masse molaire[2] 565,864 ± 0,026 g/mol
Cl 75,18 %, Si 24,82 %,
Propriétés physiques
T° fusion > 300 °C[1] (décomposition)
Précautions
SGH[1]
SGH05 : Corrosif
Danger
H314, EUH014, P260, P264, P280, P310, P303+P361+P353 et P305+P351+P338
Transport[1]
-
Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Notes et références
  1. (en) « Tetrakis(trichlorosilyl)silane », sur https://www.gelest.com/, Gelest, société du groupe Mitsubishi Chemical (consulté le ).
  2. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. (en) Walter Simmler, « Silicon Compounds, Inorganic », Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry,‎ (DOI 10.1002/14356007.a24_001, lire en ligne)
  4. (en) キャナディー、ジョン・パトリックジョウ、シヤオビーン, « Composition containing neopentasilane and method for producing the same », sur https://patents.google.com/, Google Patents,‎ (consulté le ).
  5. (en) Torsten Bronger, Paul H. Wöbkenberg, Jan Wördenweber, Stefan Muthmann, Ulrich W. Paetzold, Vladimir Smirnov, Stephan Traut, Ümit Dagkaldiran, Stephan Wieber, Michael Cölle, Anna Prodi‐Schwab, Odo Wunnicke, Matthias Patz, Martin Trocha, Uwe Rau et Reinhard Carius, « Solution‐Based Silicon in Thin‐Film Solar Cells », Advanced Energy Materials, vol. 4, no 11,‎ , article no 1301871 (DOI 10.1002/aenm.201301871, lire en ligne)
  6. (en) Sung Jin Park, Myong Euy Lee, Hyeon Mo Cho et Sangdeok Shim, « New Condensation Polymer Precursors Containing Consecutive Silicon Atoms—Decaisopropoxycyclopentasilane and Dodecaethoxyneopentasilane—And Their Sol–Gel Polymerization », Polymers, vol. 11, no 5,‎ , p. 841 (PMID 31075930, PMCID 6572446, DOI 10.3390/polym11050841, lire en ligne)
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