Néopentasilane

Le néopentasilane est un composé chimique de formule Si(SiH₃)₄. Il se présente sous la forme d'un liquide incolore pyrophorique.

Néopentasilane

Identification

Apparence

liquide incolore pyrophorique[1]

Propriétés chimiques

Si(SiH₃)₄

152,522 8 ± 0,002 3 g/mol
H 7,93 %, Si 92,07 %,

Propriétés physiques

132 à 134 °C[1]

0,805 g·cm^-3[1]

< 50 °C[1]

< −40 °C[1]

Précautions

Danger

H225, H250, H314, H335, P210, P222, P260, P264, P280 et P310

-
3194

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

Il est utilisé notamment dans l'industrie des semiconducteurs pour produire des couches minces de silicium par dépôt chimique en phase vapeur[3] (CVD), et permet également d'obtenir du nitrure de silicium Si₃N₄ par atomic layer deposition assisté par plasma[4] (PE-ALD).

Notes et références

(en) « Neopentasilane », sur https://www.gelest.com/, Gelest, société du groupe Mitsubishi Chemical (consulté le 12 février 2021).
Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
(en) K. H. Chung, N. Yao, J. Benziger, J. C. Sturm, K. K. Singh, D. Carlson et S. Kuppurao, « Ultrahigh growth rate of epitaxial silicon by chemical vapor deposition at low temperature with neopentasilane », Applied Physics Letters, vol. 92, n^o 11,‎ mars 2008, article n^o 113506 (DOI 10.1063/1.2897325, Bibcode 2008ApPhL..92k3506C, lire en ligne)
(en) Stephen Weeks, Greg Nowling, Nobi Fuchigami, Michael Bowes et Karl Littau, « Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon nitride using neopentasilane », Journal of Vacuum Science & Technology A, vol. 34, n^o 1,‎ janvier 2016, article n^o 01A140 (DOI 10.1116/1.4937993, Bibcode 2016JVSTA..34aA140W, lire en ligne)

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