Séléniure de bismuth
Le séléniure de bismuth, ou séléniure de bismuth(III), est un composé chimique de formule Bi2Se3. Il se présente sous la forme d'une poudre couleur anthracite dont les cristaux présentent des surfaces à l'éclat métallique. C'est un matériau semiconducteur et thermoélectrique[3]. Il appartient au système réticulaire trigonal, groupe d'espace R3m (no 166). On connaît également une forme orthorhombique du groupe d'espace Pnma (no 62) semblable au sulfure de bismuth(III) Bi2S3.
| Séléniure de bismuth | |||
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| __ Bi3+ __ Se2− Structure cristalline du séléniure de bismuth |
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| Identification | |||
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| No CAS | |||
| No ECHA | 100.031.901 | ||
| No CE | 235-104-7 | ||
| PubChem | 6379269 | ||
| SMILES | |||
| InChI | |||
| Propriétés chimiques | |||
| Formule | Bi2Se3 |
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| Masse molaire[1] | 654,84 ± 0,09 g/mol Bi 63,83 %, Se 36,17 %, |
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| Précautions | |||
| SGH[2] | |||
   Danger |
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| Transport[2] | |||
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| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |||
Bien que le séléniure de bismuth parfaitement stœchiométrique soit normalement semiconducteur, avec une bande interdite large d'environ 0,3 eV, les lacunes de sélénium naturellement présentes dans le cristal agissent comme des donneurs d'électrons, de sorte que le matériau présente généralement le comportement d'un semimétal[4].
Le séléniure de bismuth présente également les propriétés d'un isolant topologique, dans lequel les surfaces sont conductrices de l'électricité tandis que le matériau lui-même est isolant[5].
Notes et références
- Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
- Fiche Sigma-Aldrich du composé Bismuth(III) selenide, consultée le 2 avril 2018.
- (en) S. K. Mishra, S. Satpathy et O. Jepsend, « Electronic structure and thermoelectric properties of bismuth telluride and bismuth selenide », Journal of Physics: Condensed Matter, vol. 9, no 2, , p. 461-470 (DOI 10.1088/0953-8984/9/2/014, Bibcode 1997JPCM....9..461M, lire en ligne)
- (en) Y. S. Hor, A. Richardella, P. Roushan, Y. Xia, J. G. Checkelsky, A. Yazdani, M. Z. Hasan, N. P. Ong et R. J. Cava, « p-type Bi2Se3 for topological insulator and low-temperature thermoelectric applications », Physical Review B, vol. 79, no 19, , article no 195208 (DOI 10.1103/PhysRevB.79.195208, Bibcode 2009PhRvB..79s5208H, lire en ligne)
- (en) D. Hsieh, Y. Xia, D. Qian, L. Wray, J. H. Dil, F. Meier, J. Osterwalder, L. Patthey, J. G. Checkelsky, N. P. Ong, A. V. Fedorov, H. Lin, A. Bansil, D. Grauer, Y. S. Hor, R. J. Cava et M. Z. Hasan, « A tunable topological insulator in the spin helical Dirac transport regime », Nature, vol. 460, no 7259, , p. 1101-1105 (PMID 19620959, DOI 10.1038/nature08234, Bibcode 2009Natur.460.1101H, lire en ligne)