Accueil🇫🇷Chercher

Séléniure d'indium(III)

Le séléniure d'indium(III) est un composé chimique de formule In2Se3. Il se présente sous la forme d'un solide gris argenté à noir, assez mou, facilement soluble dans les acides forts[3]. On en connaît cinq phases notées α, β, γ, δ et κ dont les plus courantes sont les phases α et β, qui ont une structure lamellaire, tandis que la phase γ présente une structure cristalline wurtzite déficiente en indium. Cette dernière revêt un intérêt comme semiconducteur pour composants photovoltaïques, avec une largeur de bande interdite d'environ 1,9 eV[4].

Séléniure d'indium(III)
Image illustrative de l’article Séléniure d'indium(III)
__ In3+ __ Se2−
Structure cristalline du séléniure d'indium(III)
Identification
No CAS 12056-07-4
No ECHA 100.031.821
No CE 235-016-9
PubChem 6390731
SMILES
InChI
Apparence solide gris argenté indodore[1]
Propriétés chimiques
Formule In2Se3In2Se3
Masse molaire[2] 466,52 ± 0,1 g/mol
In 49,22 %, Se 50,78 %,
Propriétés physiques
fusion 960 °C[1]
Masse volumique 5,67 g/cm3[1]
Précautions
SGH[1]
SGH06 : ToxiqueSGH08 : Sensibilisant, mutagène, cancérogène, reprotoxiqueSGH09 : Danger pour le milieu aquatique
Danger
H373, H410, P260, P264, P311, P301+P310, P304+P340 et P403+P233

Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire.

La forme cristalline dépend de la méthode de croissance. Ainsi, des couches minces d'In2Se3 pur de structure γ ont été obtenues par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD) à partir de triméthylindium In(CH3)3 et de séléniure d'hydrogène H2Se[5].

Le séléniure d'indium bidimensionnel, c'est-à-dire n'ayant que quelques couches atomiques d'épaisseur, présente d'excellentes propriétés électroniques[6]. Sa sensibilité à l'air a conduit au développement de plusieurs techniques pour l'encapsuler afin de permettre son intégration aux composants électroniques[7].

Notes et références

  1. « Fiche du composé Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis) », sur Alfa Aesar (consulté le ).
  2. Masse molaire calculée d’après « Atomic weights of the elements 2007 », sur www.chem.qmul.ac.uk.
  3. (de) Georg Brauer, en collaboration avec Marianne Baudler, Handbuch der Präparativen Anorganischen Chemie, 3e éd. révisée, vol. 1, Ferdinand Enke, Stuttgart 1975, p. 872. (ISBN 3-432-02328-6)
  4. (en) J. Jasinski, W. Swider, J. Washburn et Z. Liliental-Weber, « Crystal structure of κ-In2Se3 », Applied Physics Letters, vol. 81, no 23, , article no 4356 (DOI 10.1063/1.1526925, Bibcode 2002ApPhL..81.4356J, lire en ligne)
  5. (en) K. J. Chang, S. M. Lahn et J. Y. Chang, « Growth of single-phase In2Se3 by using metal organic chemical vapor deposition with dual-source precursors », Applied Physics Letters, vol. 89, no 18, , article no 182118 (DOI 10.1063/1.2382742, Bibcode 2006ApPhL..89r2118C, lire en ligne)
  6. (en) Himani Arora et Artur Erbe, « Recent progress in contact, mobility, and encapsulation engineering of InSe and GaSe », InfoMat, vol. 3, no 6, , p. 662-693 (DOI 10.1002/inf2.12160, lire en ligne)
  7. (en) Himani Arora, Younghun Jung, Tommaso Venanzi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, René Hübner, Harald Schneider, Manfred Helm, James C. Hone et Artur Erbe, « Effective Hexagonal Boron Nitride Passivation of Few-Layered InSe and GaSe to Enhance Their Electronic and Optical Properties », ACS Applied Materials & Interfaces, vol. 11, no 46, , p. 43480-43487 (PMID 31651146, DOI 10.1021/acsami.9b13442, S2CID 204884014, lire en ligne)
Cet article est issu de wikipedia. Text licence: CC BY-SA 4.0, Des conditions supplémentaires peuvent s’appliquer aux fichiers multimédias.