Nitrure de gallium-indium
Le Nitrure de gallium-indium (InGaN, InxGa1-xN) est un semi-conducteur III-V composé de nitrure de gallium (GaN) et de nitrure d'indium (InN).
| Nitrure de gallium-indium | |
| |
| __ Ga/In __ N | |
| Identification | |
|---|---|
| Nom UICPA | Nitrure de gallium-indium |
| Propriétés chimiques | |
| Formule | InxGa1-xN |
| Unités du SI et CNTP, sauf indication contraire. | |
LED bleu à InGaN (380–405 nm)
C'est un composé à gap direct, dont la bande interdite peut varier théoriquement entre 0,67 et 3,4 eV, en fonction du ratio In/Ga. Ce ratio ne varie cependant en pratique qu'entre 0,02/0,98 et 0,3/0,7[1].
Notes et références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Indium gallium nitride » (voir la liste des auteurs).
- (en) G. Linti, The Group13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities, Simon Aldridge and AnthonyJ. Downs.Angew. Chem (DOI 10.1002/anie.201105633)
Cet article est issu de wikipedia. Text licence: CC BY-SA 4.0, Des conditions supplémentaires peuvent s’appliquer aux fichiers multimédias.