John Battiscombe Gunn

John Battiscombe Gunn (né le 13 mai 1928 en Égypte - mort le 2 décembre 2008[1]) est un physicien britannique. Il a donné son nom à l'effet Gunn et à la diode Gunn basée sur cet effet.

John Battiscombe Gunn, au centre.

Biographie
Naissance	13 mai 1928 Le Caire
Décès	2 décembre 2008 (à 80 ans) Mount Kisco (New York, États-Unis)
Nationalité	britannique
Formation	Trinity College Solebury School (en) King Alfred School (en)
Activités	Physicien, ingénieur

Autres informations
Membre de	Institute of Electrical and Electronics Engineers Académie américaine des arts et des sciences Académie nationale d'ingénierie des États-Unis
Distinctions	Liste détaillée Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (1969) Membre de la Société américaine de physique IBM Fellow Membre de l'IEEE

Décorations

1969 - Médaille commémorative IEEE Morris N. Liebmann (« Pour sa contribution sur les solides générateurs de miro-ondes »)

Ressource relative à la recherche :
- (en) Digital Bibliography & Library Project
Notices dans des dictionnaires ou encyclopédies généralistes :
- Gran Enciclopèdia Catalana
- Treccani

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