Hideo Hosono
Hideo Hosono (細野秀雄, Hosono Hideo), né le , est un physicien japonais spécialisé dans la science des matériaux. Il est connu pour la découverte des supraconducteurs à base de fer[1] - [2]. Il est également un pionnier dans le développement des oxydes semi-conducteurs transparents (TAOS) : il a proposé un modèle de matériau utilisant un oxyde amorphe transparent semi-conducteur avec une grande mobilité des porteurs de charge, démontré l'excellente performance des transistors en couches minces à TAOS pour la prochaine génération d'écrans et converti avec succès un constituant du ciment, 12CaO·7Al2O3, en semi-conducteur transparent, métal et éventuellement supraconducteurs[3] - [4].
Hideo Hosono
| Naissance | |
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| Nom dans la langue maternelle |
細野秀雄 |
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Université métropolitaine de Tokyo (d) |
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Prix Nishina () Liste détaillée Prix Nishina () James C. McGroddy Prize for New Materials () Prix impérial de l'Académie japonaise () Prix japonais () Membre étranger de la Royal Society () Prix Von-Hippel (d) () |
Honneurs et récompenses
- 2009 : Médailles honorifiques du Japon
- 2012 : Prix Nishina
- 2013 : Thomson Reuters Citation Laureates
- 2015 : Prix impérial de l'Académie japonaise
Sélection de publications
- H. Kawazoe, M. Yasukawa, H. Hyodo, M. Kurita, H. Yanagi et H. Hosono, « P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2 », Nature, vol. 389, no 6654,‎ , p. 939 (DOI 10.1038/40087)
- Nomura, H Ohta, K Ueda, T Kamiya, M Hirano et H Hosono, « Thin-film transistor fabricated in single-crystalline transparent oxide semiconductor », Science, vol. 300, no 5623,‎ , p. 1269–72 (PMID 12764192, DOI 10.1126/science.1083212)
- K. Hayashi, S. Matsuishi, T. Kamiya, M. Hirano et H. Hosono, « Light-induced conversion of an insulating refractory oxide into a persistent electronic conductor », Nature, vol. 419, no 6906,‎ , p. 462 (PMID 12368851, DOI 10.1038/nature01053)
- Matsuishi, Y Toda, M Miyakawa, K Hayashi, T Kamiya, M Hirano, I Tanaka et H Hosono, « High-density electron anions in a nanoporous single crystal: [Ca24Al28O64]4+(4e−) », Science, vol. 301, no 5633,‎ , p. 626–9 (PMID 12893938, DOI 10.1126/science.1083842)
- K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano et H. Hosono, « Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors », Nature, vol. 432, no 7016,‎ , p. 488 (PMID 15565150, DOI 10.1038/nature03090, lire en ligne)
- Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano et H. Hosono, « Iron-Based Layered Superconductor La[O1-xFx]FeAs (x = 0.05−0.12) with Tc= 26 K », Journal of the American Chemical Society, vol. 130, no 11,‎ , p. 3296–7 (PMID 18293989, DOI 10.1021/ja800073m, lire en ligne)
- H. Takahashi, K. Igawa, K. Arii, Y. Kamihara, M. Hirano et H. Hosono, « Superconductivity at 43 K in an iron-based layered compound LaO1-xFxFeAs », Nature, vol. 453, no 7193,‎ , p. 376–8 (PMID 18432191, DOI 10.1038/nature06972, lire en ligne)
Références
- (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « Hideo Hosono » (voir la liste des auteurs).
- Hideo Hosono.
- Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano et H. Hosono, « Iron-Based Layered Superconductor La[O1-xFx]FeAs (x = 0.05−0.12) with Tc= 26 K », Journal of the American Chemical Society, vol. 130, no 11,‎ , p. 3296–7 (PMID 18293989, DOI 10.1021/ja800073m, lire en ligne)
- Hideo Hosono. fpdchina.org
- LaboratoryProfile - Hosono. materia.titech.ac.jp
Liens externes
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