Boîtier de circuit intégré

Il s'agit du code basique définissant la famille de boîtier : cylindrique (CY), bouton (DB), grid array (GA), IM In-Line Module(IM), IP In-Line Package(IP), Press-Pack / Press-Fit (CP/PF, boîtier assemblé à la presse sans soudure), quad flatpack (QF, broches sur les 4 côtés du boîtier), small outline (SO, broches sur 2 côtés opposés du boîtier), CMS vertical (VP), boîtier sur Die/Wafer (DS/WL), montage sur collerette (FM), forme allongée (LF), assemblage microélectronique (MA), montage à clous (PM), boitier spécifique (SS), boîtier non classifié (UC).

Certaines fonctionnalités non communes sont définies par la classification JEDEC sous la forme d'un préfixe de 0 à 6 lettres suivi d'un tiret[2], on trouve notamment les fenêtres optiques (C), les die empilés dans un même boîtier (A, stacked package assembly), les dissipateurs de chaleur (H), ainsi que des codes pour la hauteur du boîtier ou le pas entre broches lorsqu'ils ne sont pas conformes au standard.

Dans la classification JEDEC[2], on peut trouver des boîtiers céramique (C lorsque scellés par du métal, G lorsque scellés par du verre), des boîtiers métal (M), en plastique moulé (P), en silicone (S), ou en ruban polyimide (T). Cette lettre est généralement en préfixe.

La forme des broches est codifiée par la norme JEDEC sous forme d'une lettre généralement en suffixe : On trouve les billes (B), les pattes recourbées (C, par exemple le boitier PLCC), Gull-wing (G, tels que sur les boîtiers SOIC), J-Bend, L-Bend, S-Bend, J-inversé, les oreilles pour la soudure de fils (D, H), à plat (F), isolés (I), sans pattes (N, avec des plages de soudure tels les QFN), pattes traversantes (P, T), à insertion rapide (Q, par exemple pour des relais électromécaniques), à wrapper (W), sortie filaire (W), ou à visser (Y).

• 
  Pins P
• 
  Billes B
• 
  Pattes recourbées C
• 
  Sans pattes N
• 
  Gull-wing G
• 
  J-Bend J
• 
  Pins « through hole » T
• 
  Wrapping W
• 
  À oreilles D
• 
  À insertion rapide Q
• 
  À visser Y

La norme JEDEC définit un préfixe représentant la position des broches par rapport à un circuit :

• rectangulaire ou carré : single (S, un seul côté), dual (D, sur 2 côtés opposés), quad (Q, sur les 4 côtés du boîtier), zig-zag (Z, en quinconce sur un côté), bottom (B), colonne (C), perpendiculaire (P)
• cylindrique : axiale (A), radiale (R), endcaps (E, extrémités de boîtiers cylindriques)

• 
  Single S
• 
  Dual D
• 
  Quad Q
• 
  Zig-zag Z

Brochage d'un AOP

La plupart des circuits intégrés possèdent au moins deux broches reliées au « bus d'alimentation » du circuit sur lequel ils sont installés.

La broche d'alimentation positive repérée ${\displaystyle V_{\mathrm {CC+} }}$ est parfois aussi appelée ${\displaystyle V_{\mathrm {DD} }}$, ${\displaystyle V_{\mathrm {CC} }}$, ou V_S+. La broche d'alimentation négative repérée ${\displaystyle V_{\mathrm {CC-} }}$ est parfois aussi appelée ${\displaystyle V_{\mathrm {SS} }}$, ${\displaystyle V_{\mathrm {EE} }}$, ou V_S−.

Le caractère doublé qui se trouve en indice de la lettre V fait référence au nom de la broche du transistor à laquelle cette alimentation sera généralement reliée[3]. Ainsi, les appellations ${\displaystyle V_{\mathrm {CC} }}$ et ${\displaystyle V_{\mathrm {EE} }}$ sont généralement réservées aux AOP bipolaire tandis que les appellations ${\displaystyle V_{\mathrm {DD} }}$ et ${\displaystyle V_{\mathrm {SS} }}$ sont généralement réservées aux AOP à effet de champ.

Le C de ${\displaystyle V_{\mathrm {CC} }}$ signifie que l'alimentation est reliée au collecteur d'un transistor bipolaire tandis que le E de ${\displaystyle V_{\mathrm {EE} }}$ signifie que l'alimentation est reliée à l'émetteur d'un transistor bipolaire. Le D de ${\displaystyle V_{\mathrm {DD} }}$ fait référence au drain d'un transistor à effet de champ tandis que le S de ${\displaystyle V_{\mathrm {SS} }}$ fait référence à la source de ce même transistor.

La technique du pontage entraîne l'apparition de circuits RLC dont les caractéristiques ne sont pas négligeables pour des composants travaillant en haute fréquence. Les modèles de simulation IBIS ou SPICE prennent en compte ce paramètre.

Voici un ordre d'idées des caractéristiques d'un pontage standard[4], utilisant des fils d'or de 25,4 µm de diamètre :

Cette caractérisation est très importante en électrotechnique, mais aussi en électronique numérique. Le facteur de dissipation du boîtier peut déterminer certaines caractéristiques qui sont liées à la température comme la vitesse d'exécution d'un processeur, ou le courant de commutation d'un transistor.

Les boîtiers peuvent être conçus pour limiter le rayonnement électronique du composant qu'ils enveloppent (agresseur), ou au contraire limiter l'effet de l'environnement extérieur sur leur fonctionnement (victime). Certains secteurs d'activité tels que l'aéronautique, le spatial ou le secteur automobile font des études très poussées sur la caractérisation électromagnétique des boîtiers électroniques[5].

• Composant électronique
• Composant monté en surface
• microprocesseur
• microcontrôleur
• Liste des principaux fabricants de semi-conducteurs au fil des ans

• Technologies de bonding (pontage)
• Caractérisation électrique des boîtiers par Samsung [PDF]
• Caractérisation thermique des boîtiers par Samsung [PDF]
• Étude de l'encapsulation chez Intel
• Méthode de modélisation des boîtiers chez AMD (Samsung)

• (en) Cet article est partiellement ou en totalité issu de l’article de Wikipédia en anglais intitulé « IC power supply pin » (voir la liste des auteurs).