Base commune

En électronique, une base commune est un type d'amplificateur électronique utilisant un transistor bipolaire. Le terme de base commune vient du fait que l'électrode « base » du transistor est reliée à la masse. Dans cette configuration, le signal d'entrée est appliqué à l'émetteur, le signal de sortie étant récupéré au collecteur.

Un amplificateur à base commune.

Ce circuit n'est pas le plus employé en basse fréquence, mais il est souvent utilisé pour les amplificateurs qui exigent une impédance d'entrée exceptionnellement basse, comme les microphones à bobine mobile. Ce circuit est très utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, comme pour la VHF ou l'UHF car sa capacité d'entrée n'est pas accrue par l'effet Miller, responsable de la chute du gain à haute fréquence du montage à émetteur commun. Il est aussi souvent utilisé dans les amplificateurs à plusieurs étages car son courant d'entrée dépend très peu de sa tension de sortie.

Une autre application de ce montage est le « buffer » de courant, le courant d'entrée I_E étant quasiment égal au courant de sortie I_C.

Caractéristiques en petits signaux

Remarque: Les lignes parallèles indiquent que les composants sont disposés en parallèle.

Gain en tension

A_{v}={V_{\mathrm {out} } \over V_{\mathrm {in} }}=g_{m}(R_{\mathrm {C} }\|R_{\mathrm {load} })\,

Le gain en tension à vide (sans charge,

i_{\mathrm {out} }=0

) est donné par

A_{v0}=g_{m}R_{C}={\frac {\beta _{0}R_{C}}{r_{\pi }}}

Résistance d'entrée

r_{\mathrm {in} }=R_{\mathrm {E} }\left\|{r_{\pi } \over 1+\beta _{0}}\right.

On néglige la résistance R₁//R₂ car en petits signaux le condensateur C_B court-circuite R₁//R₂. En général, ${\frac {r_{\pi }}{\beta _{0}+1}}<<R_{E}$ et on a donc $r_{\mathrm {in} }\approx {\frac {r_{\pi }}{\beta _{0}}}$ qui est donc très faible.

Gain en courant

A_{i}={r_{\mathrm {in} } \over R_{\mathrm {load} }}

Le gain en courant en court-circuit (

v_{\mathrm {out} }=0

) du circuit est donné par

A_{i0}\approx 1

Résistance à la sortie

r_{\mathrm {out} }=R_{\mathrm {C} }\,

Les variables non listées sur le schéma sont :

g_m : la transconductance en siemens, calculée grâce à $g_{m}={I_{\mathrm {C} } \over V_{\mathrm {T} }}\,$ $g_{m}={I_{\mathrm {C} } \over V_{\mathrm {T} }}\,$ , avec :
- $I_{\mathrm {C} }\,$ : le courant de polarisation du collecteur,
- $V_{\mathrm {T} }={kT \over q}\,$ est la tension thermique. Elle dépend de la constante de Boltzmann k, de la charge élémentaire q, et de la température T du transistor en kelvins. À température ambiante elle est de 25 mV (cf. Google calculator).
$\beta _{0}={I_{\mathrm {C} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$ est le gain en courant à basse fréquence (communément appelé h_FE). C'est un paramètre spécifique à chaque transistor. Il est indiqué dans sa fiche technique.
$r_{\pi }={\beta _{0} \over g_{m}}={V_{\mathrm {T} } \over I_{\mathrm {B} }}\,$