Li Fanghua

Li Fanghua est née dans la colonie de la Couronne de Hong Kong le 6 janvier 1932. Sa famille vient du Xian de Deqing dans la province de Guangdong[3]. Elle a quatre frères et une sœur[4]. Son père, Li Jiong (李炯 en chinois) était major-général au sein la nouvelle Quatrième armée, l'une des deux unités commandées par le parti communiste chinois au sein de l'armée nationale révolutionnaire[4]. Sa mère, Liu Jiqing (刘季卿 en chinois) était originaire de Pékin[5].

Li Fanghua a passé son enfance entre Hong Kong, Pékin et Canton[1]. Elle a étudié à la Peidao Private Middle School puis au lycée pour fille Fu Jen. Elle entre ensuite à l'université privée Lingnan (aujourd'hui université Sun Yat-sen)[1] puis, en 1950, elle s'inscrit à l'université de Wuhan d'où elle ressort diplômée en physique[1]. En 1956, elle obtient un baccalauréat universitaire en sciences en physique à l'université de Léningrad (aujourd'hui université d'État de Saint-Pétersbourg) et se classe en première place de sa promotion.

Après son diplôme, elle a effectué un stage à l'institut de physique de l'académie chinoise des sciences et a effectué des recherches sous la direction de Lu Xueshan (陆学善 en chinois)[1]. Durant la révolution culturelle, ses travaux ont été interrompus mais elle a pu continuer à suivre le développement de la microscopie électronique à la bibliothèque de l'institut de physique grâce à l'aide de ses collègues[1]. Elle a été envoyée dans une école du 7 mai (en), un camp de travail pour cadres[1]. En 1973, elle est retournée à l'académie chinoise des sciences[1]. De 1982 à 1983, elle est chercheuse invitée à l'université d'Osaka[4]. Elle est nommée membre de l'académie chinoise des sciences en 1993 et membre de l'académie des sciences du monde en développement en 1998.

Elle est mariée à Fan Haifu (en) qui est également physicien[6].

Elle est directrice de la société chinoise de physique et de l'union chinoise de cristallographie. Elle parle couramment anglais, français, allemand, japonais et russe[4].

• (en) Transmission electron microscopy study of one-dimensional incommensurate structural modulation in superconducting oxides Bi2+xSr2-xCuO6+δ (0.10 < x <0.40), X. M. Li, F. H. Li, Q. Luo, L. Fang, H. H. Wen, Supercond. Sci. Technol. 22 (2009) 065003
• (en) A study of an incommensurately modulated structure in Ca0.28Ba0.72Nb2O6 by electron microscopy, B.H. Ge, Y.M. Wang, X. M. Wang, F. H. Li, Philosophical Magazine Letters, 88 (3) (2008) 213 – 217.
• (en) Atomic configurations of twin boundaries and twinning dislocation in superconductor YNaBaCuZnO, Y. M. Wang, W. Wan, R. Wang, F. H. Li, G. C. Che, Philosophical Magazine Letters,88(3) (2008) 481-489.
• (en) Forty-five degree oriented YBaCuO/MgO interface structures studied by high-resolution electron microscopy,
• (en) W. Wan, Y. Q. Cai, Y. M. Wang, F. H. L, X. Yao, X. J. Wu, Philosophical Magazine Letters,88(8) (2008) 591-598.
• (en) Investigation on atomic configuration of dislocation core and microtwin boundary in 3C-SiC film by HRTEM, C.Y. Tang, R. Wang, F.H. Li, X.H. Zheng and J.W. Liang, Phys. Rev. B, 75 (2007),184103: 1-7.
• (en) Image deconvolution in spherical aberration-corrected HRTEM, C.Y. Tang, J. H. Chen, H. Zandbergen and F.H. Li, Ultramicroscopy, 106 (2006) 539-546.
• (en) A method of studying dislocation core structures by high-resolution electron microscopy, Fang-hua Li, Science and Technology of Advanced Materials, 6 (2005) 755-760.
• (en) Restoring atomic configuration at interfaces by image deconvolution, C. Y. Tang and F H Li, J. Electron Microscopy, 54 (2005) 445-453.
• (zh) 晶体中堆垛层错的高分辨电子显微像研究，万威、唐春艳、王玉梅、李方华，物理学报，54（9）4273-8，2005年9月。
• (en) Determination of a misfit dislocation complex in SiGe/Si heterostructures by image deconvolution technique in HREM, D. Wang, J. Zou, W. Z. He, H. Chen, .F.H. Li, K. Kawasaki d and T. Oikawa, Ultramicroscopy, 98 (2004) 259-264.
• (en) A further discussion on the peculiarity of maximum entropy image deconvolution in HREM, H.B. Wang, Y.M. Wang and F.H. Li, Ultramicroscopy, 99 (2004) 165-177.
• (en) Effect of diffraction crystallography on HREM (Invited paper), F.H. Li, Zeitschrift für Kristallographie, 218 (2003) 279-292.
• (en) A study on the position of boron atoms in (Y0.6Ca0.4)(SrBa)(Cu2.5B0.5)O7−δ, H.B. Wang, H. Jiang F.H. Li, G.C. Che, D. Tang, Acta Cryst., A58 (2002) 494-501.
• (en) Atomic configuration in core structure of Lomer dislocation in Si0.76Ge0.24/Si, D. Wang, H. Chen, F. H. Li, K. Kawasaki and T. Oikawa, Ultramicroscopy, 93 (2002) 139-146.
• (en) Comments on relations of crystallography with other sciences (Invited paper), F.H. Li, Z. Kristallogr., 217 (2002) 1-2.
• (en) Solving the inverse problem in HREM, F.H. Li, J. Chiese Electron Microscopy (Invited paper), 21 (2002) 219-228.
• (en) Electron crystallographic image processing investigation and superstructure determination for (Pb0.5Sr0.3Cu0.2)Sr2(Ca0.6Sr0.4)Cu2Oy , J. Liu, F. H. Li, Z. H. Wan, H. F. Fan, Acta Cryst. A, 57 (2001) 540-547.
• (en) Amplitude correction in image deconvolution for determining crystal defects at atomic level, F. H. Li, D. Wang, W. Z. He and H. Jiang, Journal of Electron Microscopy, 49 (2000) 17-24.
• (en) Distinguishing glide and shuffle types for 60° dislocation in semiconductors by field-emission HREM image processing, D. Wang, F. H. Li and, J. Zou, Ultramicroscopy, 85 (2000) 131-139.
• (en) Image Deconvolution for Protein Crystals, S. X. Yang and F. H. Li, Ultramicroscopy, 85 (2000) 51-59[7].