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DDR4 SDRAM

La DDR4 SDRAM (Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory) est un type de mĂ©moire vive dynamique qui succède Ă  la DDR3 SDRAM. Elle est notamment mise en avant par les fabricants pour une consommation Ă©nergĂ©tique moindre par rapport Ă  la version prĂ©cĂ©dente. La plus basse frĂ©quence d'horloge dĂ©bute Ă  2 133 MHz jusqu'au niveau maximal de 3,2 GHz pour une tension de V.

DDR4 SDRAM.
2 barrettes DDR4 de Gio chacune.

Description

La DDR4 SDRAM, qui est connue sous la forme simplifiée DDR4 (à ne pas confondre avec la GDDR4), est destinée à être progressivement utilisée dans les ordinateurs personnels commercialisés à partir de l'année 2014. La finalisation des spécifications a été annoncée en 2012, alors que la démocratisation au grand public n'était initialement attendue que vers 2015.

Les modules de DDR4 sont disponibles Ă  une frĂ©quence d'utilisation de 1 600 MHz pour la DDR4-3200[1].

Le Samsung annonce la production en masse de ses premières barrettes DDR4[2].

Le terme anglais « DDR4 SDRAM » pour Double Data Rate 4th generation Synchronous Dynamic Random Access Memory, signifiant « mĂ©moire, Ă  accès direct, Ă  double dĂ©bit de donnĂ©es, de quatrième gĂ©nĂ©ration ». La DDR4 doit offrir des amĂ©liorations de performances tout en diminuant la consommation Ă©lectrique. On passerait Ă  des tensions comprises entre 1,2 et 1,5 V voire 1,05 V avec les versions basse consommation.

En , Samsung a rĂ©alisĂ© une chip DRAM sur 40 nm, cela peut ĂŞtre considĂ©rĂ© comme une Ă©tape importante vers le processus de dĂ©veloppement de DDR4 SDRAM.

En , Samsung[3] annonce la rĂ©alisation d'un module mĂ©moire DDR4 d'une capacitĂ© de Gio dont les puces sont gravĂ©es en 30 nm. Ce module a une bande passante maximale de 2,133 Gbit/s et fonctionne avec une tension de 1,2 V contre 1,5 V pour les modules DDR3. Cette baisse de tension couplĂ©e avec l'introduction de la technologie Pseudo open drain (POD) qui rĂ©duit de moitiĂ© le courant Ă©lectrique nĂ©cessaire Ă  la lecture et l'Ă©criture des donnĂ©es, entraĂ®ne une rĂ©duction de 40 % de la consommation du module par rapport Ă  un module DDR3 Ă©quivalent.

Vue d'ensemble

Les premières barrettes fonctionneront selon Qimonda[4] Ă  une frĂ©quence de 2 133 MHz avec une tension de seulement 1,2 V contre 1,5 V pour la DDR3 et 1,8 V pour la DDR2.

En 2019, la barre des GHz est franchie et la barre des GHz est attendue[5].

Modules standard DDR4 JEDEC

Nom standard[6] - [7]

Fréquence mémoire

(MHz)

Fréquence I/O bus

(MHz)

DĂ©bit

(MT/s)

Nom

Taux de transfert

(Mo/s)

Timings

(CL-tRCD-tRP)

CAS latency

(ns)

DDR4-1600J*
DDR4-1600K
DDR4-1600L
2008001 600PC4-1280012 80010-10-10
11-11-11
12-12-12
12.5
13,75
15
DDR4-1866L*
DDR4-1866M
DDR4-1866N
233,33933,331 866,67PC4-1490014 933,3312-12-12
13-13-13
14-14-14
12,857
13,929
15
DDR4-2133N*
DDR4-2133P
DDR4-2133R
266,671 066,672 133,33PC4-1700017 066,6714-14-14
15-15-15
16-16-16
13,125
14,063
15
DDR4-2400P*
DDR4-2400R

DDR4-2400T
DDR4-2400U

3001 2002 400PC4-1920019 20015-15-15
16-16-16

17-17-17
18-18-18

12,5
13,33
14,16
15
DDR4-2666T
DDR4-2666U
DDR4-2666V
DDR4-2666W
3251 3332 666PC4-2133321 33317-17-17
18-18-18
19-19-19
20-20-20
12,75
13,50
14,25
15
DDR4-2933V
DDR4-2933W
DDR4-2933Y
DDR4-2933AA
366,61 466,52 933PC4-2346623 46619-19-19
20-20-20
21-21-21
22-22-22
12,96
13,64
14.32
15
DDR4-3200W
DDR4-3200AA
DDR4-3200AC
4001 6003 200PC4-2560025 60020-20-20
22-22-22
24-24-24
12,50
13,75
15

Notes et références

  1. (en) Upgrading and Repairing PCs, Scott Mueller, 2015.
  2. (en) Peter Clarke, « Samsung Starts Volume Production of DDR4 Memory », sur eetimes.com (en), 08.30.2013.
  3. (en) « Communiqué Samsung du »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?).
  4. « News Matbe.com sur les projets de DDR4 de Qimonda »(Archive.org • Wikiwix • Archive.is • Google • Que faire ?), .
  5. Voir (en) « What do you need? », sur trustedreviews.com (en), (consultĂ© le ).
  6. (en) « JESD79-4A – JEDEC Standard DDR4 SDRAM » [PDF], JEDEC.
  7. (en) « DDR4 SDRAM UDIMM Design Specification » [PDF], JEDEC.

Lien externe

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