Atomic layer deposition
L’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs.
L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Histoire
ALD a été développée en deux inventions indépendantes sous les noms de atomic layer epitaxy (ALE) en Finlande et molecular layering (ML) en union soviétique[1].
Afin de clarifier l'origine de l'invention, le projet Virtual de l'histoire de l'ALD (VPHA) est lancé durant l'été 2013[2]. Il a produit plusieurs publications passant en revue l'évolution historique de l'ALD sous les noms ALE et ML[1] - [3] - [4] - [5].
Références
- Esko Ahvenniemi, Andrew R. Akbashev, Saima Ali, Mikhael Bechelany, Maria Berdova, Stefan Boyadjiev, David C. Cameron, Rong Chen et Mikhail Chubarov, « Review Article: Recommended reading list of early publications on atomic layer deposition—Outcome of the "Virtual Project on the History of ALD" », Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, vol. 35, no 1,‎ , p. 010801 (DOI 10.1116/1.4971389)
- Virtual project on the history of ALD. vph-ald.com
- Riikka L. Puurunen, « A Short History of Atomic Layer Deposition: Tuomo Suntola's Atomic Layer Epitaxy », Chemical Vapor Deposition, vol. 20, nos 10–11–12,‎ , p. 332–344 (DOI 10.1002/cvde.201402012)
- Anatolii A. Malygin, E. Drozd, Anatolii A. Malkov, Vladimir M. Smirnov, « From V. B. Aleskovskii's "Framework" Hypothesis to the Method of Molecular Layering/Atomic Layer Deposition », Chemical Vapor Deposition, vol. 21, nos 10–11–12,‎ , p. 216–240 (DOI 10.1002/cvde.201502013)
- Riikka Puurunen, « Learnings from an Open Science Effort: Virtual Project on the History of ALD », sur ecsarxiv.org (DOI 10.1149/osf.io/exyv3, consulté le )